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《文章投稿》原子級(jí)分散低配位鉬高效利用空穴加速光催化C–H鍵活化

光催化醇無(wú)受體脫氫反應(yīng)為制備羰基化合物和清潔燃料氫氣提供了可行策略。然而，烷氧基C–H鍵斷裂的緩慢動(dòng)力學(xué)導(dǎo)致光生空穴利用率低下，嚴(yán)重制約了催化活性。本研究在超薄ZnIn2S4納米片上構(gòu)建原子級(jí)分散的低配位鉬活性位點(diǎn)，可大幅加速光催化C–H鍵活化。

基于缺陷工程手風(fēng)琴結(jié)構(gòu)氮化碳高效光催化二氧化碳還原和產(chǎn)H2

采用一步乙醇蒸汽法制備了由納米薄片組裝而成的具有三維手風(fēng)琴狀結(jié)構(gòu)的石墨相氮化碳g-CN-X，同時(shí)它是一種具有N缺陷和C摻雜的材料。這種方法通過(guò)將吸收邊緣延伸到整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)，可以大大增加g-CN-X的光吸收

怎樣選購(gòu)性?xún)r(jià)比高光催化氙燈光源?